很多网友认为，有了28纳米光刻机，就可以通过双重曝光制造14纳米芯片，通过四重曝光可以制造7纳米芯片。这种说法正确吗？
为了回答这个问题，我们需要先理清楚什么叫做28纳米光刻机。
通常意义上，半导体行业的光刻机的划分是根据光源波长来命名，比如我们经常说的193纳米ArF光刻机，248纳米KrF光刻机。
而我们所说的28纳米光刻机，则指的是达到28纳米节点工艺精度的浸没式光刻机。
熟悉半导体的朋友都很清楚，通常一代光源的光刻机可以通过不断迭代升级跨越多个节点；所以用28纳米光刻机来命名，实际上是比通常用光源波长命名要更精确一点。
28纳米节点工艺本身是台积电从32纳米节点到22纳米节点的一个过渡，也是02专项立项时期最先进的制程。当时ASML推出的最先进的系统是浸没式光刻机NXT:1950Ai。
为了实现28纳米以下节点，通常需要双重曝光、多重曝光，所以对浸没式光刻系统的精度要求更高。
ASML已经给出早期从2010年-2016年间迭代的4代浸没式DUV光刻机的节点精度和对应的系统指标：
1，2010-2012年的28纳米光刻机，其产品套刻精度9纳米，特征尺寸精度3纳米；
2，2012-2013年的20纳米光刻机，其产品套刻精度6纳米，特征尺寸精度1.5纳米；
3，2014-2015年的14纳米光刻机，其产品套刻精度4纳米，特征尺寸精度1纳米；
4，2015-2016年的11纳米光刻机，其产品套刻精度3纳米，特征尺寸精度小于1纳米。
如果要顺延28纳米光刻机的命名规范来说，我们同样需要将其升级到22纳米光刻机、14纳米光刻机、7纳米光刻机等不同迭代产品型号，才可以实现相应节点精度的要求。所谓的28纳米光刻机不能包打天下啊！
实际上，如果我们仔细地研究ASML的资料，就可以大致发现，ASML从32纳米浸没式光刻机迭代到7纳米浸没式光刻机，也用了大约10年时间！它包括了一系列系统级的逐渐优化和提升，而不是故意人为设定的代差。
所以，如果我国在2023年能够有浸没式光刻机试验机的消息，它至少需要3年才可能形成28纳米的量产能力。之后我们再讨论迭代升级，可能是合理的--当然，彼时升级的速度有可能会稍微快一点。但是这个可能性不大，因为我们可以从我国的90纳米光刻机的商业化进展来看，它从试验机台到商业化成熟产品的跨越需要的时间，远远超过大家的想象。
综上所述，即便是成熟的28纳米光刻机，也不能达到量产14纳米或7纳米芯片的精度要求，它仍需要大量的系统级迭代升级才可以达到更先进芯片制程的能力。
因此，我的判断是我国目前解决光刻机困局的路线出现问题，其根源是忽略了试验机台到商业化成熟产品的鸿沟，这两者依赖完全不同的开发模式和组织模式。
